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SC802-04-TE12RA
SC802-04 (1A) (40V / 1A ) Outline drawings, mm SCHOTTKY BARRIER DIODE 3±0.2 0.1 2.6±0.2 2.5±0.2 Marking 1.35±0.4 2 MIN. 1.35±0.4 1.2±0.2 +0.4 5.1-0.1 Features Surface-mount device Low VF Marking Super high speed switching High reliability by planer design EB Code Lot. No Applications High speed switching Cathode mark Maximum ratings and characteristics Absolute maximum ratings Item Symbol Conditions VRRM Non-repetitive peak reverse voltage VRSM tw=500ns, duty=1/40 Average output current Io Resistive load Tl=115°C Surge current IFSM Sine wave 10ms Operating junction temperature Storage temperature Unit 40 Repetitive peak reverse voltage Rating V 48 V 1.0* A 40 A Tj -40 to +150 °C Tstg -40 to +150 °C * Mounted on printed cirrcuit boad (15 x 15mm) Electrical characteristics (Ta=25°C Unless otherwise specified ) Item Symbol Conditions Max. Unit Forward voltage drop VFM IFM=1A 0.55 V Reverse current IRRM VR=VRRM 2.0 mA Thermal resistance Rth(j-l) Junction to lead 15* °C/W
FUJITSU
富士通株式会社から2008年3月に100%子会社「富士通マイクロエレクトロニクス」(その後、2010年4月に社名を現在の「富士通セミコンダクター」に変更)を設立した。 2015年3月1日付で、富士通セミコンダクター株式会社のシステムLSI事業は株式会社ソシオネクストに譲渡されました。
株式会社ソシオネクスト
日本
システムメモリ、ウェハーファウンドリ、販売にかかる事業
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