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SH8K32TB1
SH8K32 60V Nch+Nch Power MOSFET Datasheet l Outline VDSS 60V RDS(on)(Max.) 65mΩ ID ±4.5A SOP8 PD 2.0W l Features 1) Low on - resistance 2) Small Surface Mount Package (SOP8) 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 4) Halogen Free l Inner circuit l Packaging specifications Embossed Tape Packing l Application Reel size (mm) Switching Type 330 Tape width (mm) 12 Basic ordering unit (pcs) Taping code 2500 TB Marking SH8K32 l Absolute maximum ratings (Ta = 25°C ,unless otherwise specified) Parameter Symbol VDSS Value Unit 60 V ID ±4.5 A Pulsed drain current IDP*1 ±18 A Gate - Source voltage VGSS ±20 V PD*2 2.0 PD*3 1.4 Tj 150 ℃ Tstg -55 to +150 ℃ Drain - Source voltage Continuous drain current Power dissipation (total) Junction temperature Operating junction and storage temperature range W www.rohm.com © 2017 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/11 20170116 - Rev.001
ROHM
ローム株式会社
日本
炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM(R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位)はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。
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