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部品型式

BU9882FV-WE2

製品説明
仕様・特性

TECHNICAL NOTE Double-cell Memory for Plug & Play EDID Memory BR24C21/F/FJ/FV, BU9882/F/FV-W BR24C21/F/FJ/FV ●Description TM TM The BR24C21 series ICs are serial EEPROMs that support DDC1 /DDC2 interfaces for Plug and Play displays. ●Features TM TM 1) Compatible with both DDC1 /DDC2 2) Operating voltage range: 2.5V to 5.5V 3) Page write function: 8bytes 4) Low power consumption Active (at 5V) : 1.5mA (typ) Stand-by (at 5V) : 0.1μA (typ) 5) Address auto increment function during Read operation 6) Data security Write enable feature (VCLK) Write protection at low Vcc 7) Various packages available: DIP-T8 / SOP8 / SOP-J8 / SSOP-B8 8) Initial data=FFh 9) Data retention: 10years 10) Rewriting possible up to 100,000 times ●Absolute maximum ratings (Ta=25℃) Parameter Supply Voltage Power Dissipation Storage Temperature Operating Temperature Terminal Voltage Symbol VCC Pd 800 450 450 350 ●Recommended operating conditions Rating -0.3~+6.5 (DIP-T8) (SOP8) (SOP-J8) (SSOP-B8) Unit V *1 *2 *3 *4 mW Tstg -65~+125 ℃ Topr -40~+85 ℃ - -0.3~VCC+0.3 V * Reduce by 8.0 mW/°C over 25°C (*1), 4.5mW/℃ (*2,3), and 3.5mW/℃ (*4) Parameter Symbol Rating Unit Supply Voltage VCC 2.5~5.5 V Input Voltage VIN 0~VCC V ●Memory cell characteristics Parameter Write/Erase Cycle Data Retention Min. 100,000 10 Limits Typ. - Max. - Ver.B Oct.2005 Unit Cycle Year

ブランド

ROHM

会社名

ローム株式会社

本社国名

日本

事業概要

炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM(R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位)はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。

供給状況

 
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