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部品型式

KSC2688YSTU

製品説明
仕様・特性

KSC2688 KSC2688 Color TV Chroma Output & Video Output TO-126 1 1. Emitter 2.Collector 3.Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25°C unless otherwise noted Symbol VCBO Parameter Value 300 VCEO Emitter-Base Voltage IC V Collector-Emitter Voltage VEBO Units V 300 Collector-Base Voltage 5 V Collector Current 200 mA PC Collector Dissipation (Ta=25°C) 1.25 W PC Collector Dissipation (TC=25°C) 10 W TJ Junction Temperature 150 °C TSTG Storage Temperature - 55 ~ 150 °C Electrical Characteristics TC=25°C unless otherwise noted Symbol BVCBO Parameter Collector-Base Breakdown Voltage Test Condition IC =0.1mA, IE = 0 Min. 300 BVCEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC = 5mA, IB = 0, RBE = ∞ 300 BVEBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE = 0.1mA, IC = 0 ICBO Collector Cut-off Current VCB = 200V, IE = 0 IEBO Emitter Cut-off Current * DC Current Gain VCE = 10V, IC = 10mA VCE(sat) * Collector-Emitter Saturation Voltage Current Gain Bandwidth Product VCE = 30V, IE = -10mA Cre Feed Back Capacitance Units V V V 100 VCB = 30V, IE = 0 f = 1MHz 40 µA 100 IC = 50mA, IB = 5mA fT Max. 5 VEB = 4V, IC = 0 hFE Typ. µA 250 1.5 50 80 V MHz 3 pF * Pulse Test: PW≤350µs, Duty Cycle≤2% hFE Classificntion Classification R O Y G hFE 40 ~ 80 60 ~ 120 100 ~ 200 160 ~ 250 ©2000 Fairchild Semiconductor International Rev. A, February 2000

ブランド

INTERSIL

現況

1999年8月に、Harris Corporationの半導体事業の取得によって発足したグローバル企業である。

会社名

Intersil

事業概要

パワーマネジメントIC企業であり、産業、インフラ、モバイル、車載、航空宇宙機器向けの高効率パワーマネジメントと高精度アナログ技術の開発に携わっている。

供給状況

 
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