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RB715FT106
RB715F Diodes Shottky barrier diode RB715F External dimensions (Unit : mm) Application Low current rectification Features 1) Small mold type. (UMD3) 2) Low VF 3) High reliability. Lead size figure (Unit : mm) Each lead has same dimension Construction Silicon epitaxial planer Structure Taping dimensions (Unit : mm) Absolute maximum ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol VRM Limits VR Io Reverse voltage (repetitive peak) 40 30 IFSM Tj Tstg 200 125 -40 to +125 Reverse voltage (DC) Average rectified forward current Forward current surge peak (60Hz 1cyc) (*1) Junction temperature Storage temperature Unit V 40 V mA mA (*1)Rating of per diode Electrical characteristics (Ta=25 C) Parameter Forward voltage Capacitance between terminals Symbol VF IR Ct Min. - Typ. 2.0 Max. 0.37 1 - Unit V μA pF Conditions IF=1mA VR=10V VR=1V f=1MHz Rev.B 1/3 RB715F Diodes Rev.B 3/3
ROHM
ローム株式会社
日本
炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM（R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位）はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。
見積依頼→在庫確認→見積回答→注文→検収→支払 となります。
