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RB480KTL
RB480K Diodes Shottky barrier diode RB480K Applications Low current rectification Dimensions (Unit : mm) Land size figure (Unit : mm) Each lead has same dimension Features 1) Ultra small mold type. (UMD4) 2) Low IR. 3) High reliability. Construction Silicon epitaxial planar Structure Taping dimensions (Unit : mm) Absolute maximum ratings (Ta=25 C) Parameter Reverse voltage (repetitive peak) Reverse voltage (DC) Average rectified forward current *1 Forward current surge peak 60Hz 1cyc Junction temperature Storage temperature *1 Limits 45 40 100 1 125 -40 to +125 Symbol VRM VR Io IFSM Tj Tstg Unit V V mA A (*1) Rating of per diode Electrical characteristics (Ta=25 C) Parameter Symbol VF1 Forward voltage VF2 IR 1 Reverse current IR 2 Capacitance between terminals Ct1 Min. - Typ. 6 Max. 0.45 0.6 1 5 - Unit V V μA μA pF Ct2 - - 25 pF Conditions IF=10mA IF=100mA VR=10V VR=40V VR=10V , f=1MHz VR=0V Rev.C 1/3 RB480K Diodes Rev.C 3/3
ROHM
ローム株式会社
日本
炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM（R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位）はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。
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