シングルインライン型
SBD Bridge
Single In-line Package
■外観図 OUTLINE
D20XBS6
Unit : mm
Weight : 7.4g typ.）
（
Package：5S
60V 20A
管理番号
（例）
Control No.
品名
Type No.
特長
ロッ
ト記号
（例） 4.6
Date code
30
• 薄型 SIP パッケージ
• SBD ブリッジ
• 低 VF
D20XBS6 0264
20
Feature
＋
①
• Thin-SIP
• SBD Bridge
• Low VF
∼ ∼
② ③
−
④
+
∼
∼
−
17.5
①
②
③
④
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
For details of outline dimensions, refer to our web site or the Semiconductor
Short Form Catalog. As for the marking, refer to the specification “Marking,
Terminal Connection”
.
■定格表 RATINGS
項 目
Item
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
繰り返しせん頭サージ逆電圧
Repetitive Peak Surge Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
繰り返しせん頭サージ逆電力
Repetitive Peak Surge Reverse Power
絶縁耐圧
Dielectric Strength
締め付けトルク
Mounting Torque
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
接合容量
Junction Capacitance
記号
条 件
Symbol Conditions
D20XBS6
単位
Unit
Tstg
−55∼150
℃
Tj
150
℃
VRM
VRRSM
IO
IFSM
PRRSM
Vdis
TOR
VF
IR
Cj
θjc
熱抵抗
Thermal Resistance
θjl
θja
202
（J534-1）
品 名
Type No.
60
V
パルス幅0.5ms，duty 1/40
Pulse width 0.5ms, duty 1/40
65
V
フィン付き
Tc = 100℃
With heatsink
50Hz 正弦波，抵抗負荷
50Hz sine wave, Resistance load
フィンなし
Ta = 27℃
Without heatsink
50Hz 正弦波，非繰り返し1サイクルせん頭値，Tj = 25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃
パルス幅10μs，１素子当たりの規格値，Tj = 25℃
Pulse width 10μs, per diode, Tj = 25℃
20
一括端子・ケース間，AC１分間印加
Terminals to Case, AC 1 minute
（推奨値：0.5 N・m）
（Recommended torque : 0.5 N・m）
パルス測定，１素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
VR = 60V, パルス測定，１素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
f = 1MHz, VR = 10V, １素子当たりの規格値
per diode
接合部・ケース間，フィン付き
Junction to Case, With heatsink
接合部・リード間
Junction to Lead
接合部・ 周囲間
Junction to Ambient
IF = 10A,
A
2.1
200
A
660
W
2
kV
0.8
N・m
MAX
0.63
V
MAX
8.0
mA
MAX
370
pF
MAX
1.5
MAX
5.0
MAX
25
℃/W
