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BUV26
SEMICONDUCTORS BUV26 – BUV26A SILICON POWER TRANSISTORS High-speed,NPN power transistors in a TO-220 envelope. They are intended for fast switching applications such as high frequency and efficiency converters, switching regulators and motor control. Compliance to RoHS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Value Symbol Ratings Unit BUV26 BUV26A VCBO Collector-Base Voltage IE = 0 180 200 V VCEO Collector-Emitter Voltage IB = 0 90 100 V VEBO Emitter-Base Voltage IC = 0 7 5 V IC Collector Current ICM Collector Peak Current IB Base Current IBM Base Current Pt Power Dissipation Tj Junction Temperature Tstg Storage Temperature range 14 25 A 6 tp = 10ms A 4 tp = 10ms A A 85 65 W 150 °C -65 to 150 Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134) THERMAL CHARACTERISTICS Symbol RthJ-mb 29/09/2012 Ratings From junction to mounting base Value BUV26 BUV26A COMSET SEMICONDUCTORS Unit 1.76 °C/W 1|3
INFINEON
Infineon Technologies
ドイツ
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