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部品型式

ME2002

製品説明
仕様・特性

ME2002 Transistors Si NPN LP HF BJT Military/High-RelN V(BR)CEO (V)25 V(BR)CBO (V)35 I(C) Max. (A) Absolute Max. Power Diss. (W)300m Maximum Operating Temp (øC)175õ I(CBO) Max. (A)50nØ @V(CBO) (V) (Test Condition) h(FE) Min. Current gain.100 h(FE) Max. Current gain. @I(C) (A) (Test Condition)10m @V(CE) (V) (Test Condition)1.0 f(T) Min. (Hz) Transition Freq200M @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) V(CE)sat Max. (V) @I(C) (A) (Test Condition) @I(B) (A) (Test Condition) h(fe) Min. SS Current gain. @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition)

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