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RB721Q-40T-72
RB721Q-40 Diodes Schottky barrier diode RB721Q-40 Applications Low current rectification External dimensions (Unit : mm) TYPE NO. (BLACK) CATHODE BAND (BLACK) φ0.4±0.1 Features 1) Glass sealed envelope. (MSD) 2) Low VF, Low IR 3) High reliability S 2 - 2.7±0.3 29±1 29±1 φ1.8±0.2 ROHM : MSD JEDEC : DO-34 Construction Silicon epitaxial planar Taping specification s (Unit : mm) Symbol BROWN A H2 BLUE T-72 Ａ E Standard dimension value(mm) T-77 52.4±1.5 +0.4 0 26.0 T-72 5.0±0.5 T-77 5.0±0.3 T-72 C 1.0 max. T-77 T-72 D 0 T-77 T-72 1/2A±1.2 E T-77 1/2A±0.4 T-72 0.7 max. Ｆ T-77 0.2 max. T-72 H1 6.0±0.5 T-77 T-72 H2 5.0±0.5 T-77 T-72 1.5 max. |L1-L2| T-77 0.4 max. ＊H1(6mm)：BROWN B B C L1 L2 F D H1 Absolute maximum ratings (Ta = 25°C) Parameter Reverse voltage (repetitive peak) Reverse voltage (DC) Average rectified forward current Forward current surge peak （60Hz・1cyc） Junction temperature Storage temperature Limits 40 40 30 200 125 -40 to +125 Symbol VRM VR Io IFSM Tj Tstg Unit V V mA mA ℃ ℃ Electrical characteristics (Ta = 25°C) Parameter Forward voltage Reverse current Capacitance between terminals Symbol VF IR Min. - Typ. - Max. 0.37 0.5 Unit V µA Ct - 2.0 - pF Conditions IF=1mA VR=25V VR=1V , f=1MHz Rev.B 1/3
ROHM
ローム株式会社
日本
炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM（R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位）はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。
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