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部品型式

2SK2655-01R

製品説明
仕様・特性

2SK2655-01R FUJI POWER MOSFET N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET FAP-2S Series Outline Drawings TO-3PF Features High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators UPS (Uninterruptible Power Supply) DC-DC converters Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings Equivalent circuit schematic (Tc=25°C unless otherwise specified) Item Drain-source voltage Continuous drain current Pulsed drain current Gate-source voltage Repetitive or non-repetitive Maximum Avalanche Energy Max. power dissipation Operating and storage temperature range Symbol V DS ID ID(puls] VGS IAR *2 EAS *1 PD Tch Tstg Ratings 900 ±8 ±32 ±35 8 141 100 +150 -55 to +150 Unit V A A V A mJ W °C °C Drain(D) 行r new 移 fo *1 L=4.10mH, Vcc=90V . 種e 機 d Gate(G) n sig Source(S) < *2 Tch=150°C 守mend 保m Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified) Item Drain-source breakdown voltaget Gate threshold voltage Zero gate voltage drain current N Avalanche capability Diode forward on-voltage Reverse recovery time Reverse recovery charge eco r ot Gate-source leakage current Drain-source on-state resistance Forward transcondutance Input capacitance Output capacitance Reverse transfer capacitance Turn-on time ton Turn-off time toff Symbol V(BR)DSS VGS(th) IDSS IGSS RDS(on) gfs Ciss Coss Crss td(on) tr td(off) tf IAV V SD t rr Qrr Test Conditions ID=1mA VGS=0V ID=1mA VDS=VGS VDS=900V VGS=0V VGS=±35V VDS=0V ID=4.0A VGS=10V Min. Typ. Max. 900 3.5 Tch=25°C Tch=125°C ID=4.0A VDS=25V VDS =25V VGS=0V f=1MHz VCC=600V ID=8A VGS=10V RGS=10 Ω L=100 µH Tch=25°C IF=2xIDR VGS=0V Tch=25°C IF=IDR VGS=0V -di/dt=100A/µs Tch=25°C 4.0 4.5 10 500 0.2 1.0 10 100 1.48 2.00 2.5 5.0 1200 1800 180 270 90 140 30 50 100 150 100 150 65 100 8 1.0 1.5 950 12 Units V V µA mA nA Ω S pF ns A V ns µC Thermalcharacteristics Item Thermal resistance Symbol Rth(ch-c) Rth(ch-a) Test Conditions channel to case channel to ambient Min. Typ. Max. 1.25 30.0 Units °C/W °C/W 1

ブランド

FUJITSU

現況

富士通株式会社から2008年3月に100%子会社「富士通マイクロエレクトロニクス」(その後、2010年4月に社名を現在の「富士通セミコンダクター」に変更)を設立した。 2015年3月1日付で、富士通セミコンダクター株式会社のシステムLSI事業は株式会社ソシオネクストに譲渡されました。

会社名

株式会社ソシオネクスト

本社国名

日本

事業概要

システムメモリ、ウェハーファウンドリ、販売にかかる事業

供給状況

　
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0.1499938965