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QS5K2
QS5K2 Transistors 2.5V Drive Nch+Nch MOSFET QS5K2 Structure Silicon N-channel MOSFET Dimensions (Unit : mm) TSMT5 1.0MAX 2.9 1.9 0.95 0.95 Features 1) Low On-resistance. 3) Space saving, small surface mount package (TSMT5). (2) 0.7 (4) (3) 1.6 2.8 (5) 0.85 0.4 Applications Switching 0.16 Each lead has same dimensions Abbreviated symbol : K02 Packaging specifications Inner circuit Package Type 0~0.1 0.3~0.6 (1) (5) Taping TR Code Basic ordering unit (pieces) (4) ∗2 ∗2 3000 QS5K2 ∗1 (1) ∗1 (2) ∗1 ESD PROTECTION DIODE ∗2 BODY DIODE (3) (1) Tr1 Gate (2) Tr1 Source Tr2 Source (3) Tr2 Gate (4) Tr2 Drain (5) Tr1 Drain Absolute maximum ratings (Ta=25°C) Parameter Drain-source voltage Gate-source voltage Continuous Pulsed Continuous Pulsed Drain current Source current (Body diode) Total power dissipation Channel temperature Range of storage temperature Symbol VDSS VGSS ID IDP ∗1 IS ISP ∗1 PD ∗2 Tch Tstg Limits 30 12 ±2.0 ±8.0 0.8 3.2 1.25 0.9 150 −55 to +150 Unit V V A A A A W / TOTAL W / ELEMENT °C °C Limits 100 139 Unit °C/W °C/W ∗1 Pw≤10µs, Duty cycle≤1% ∗2 Mounted on a ceramic board Thermal resistance Parameter Channel to ambient Symbol Rth(ch-a) ∗ ∗ Mounted on a ceramic board Rev.A 1/3
ROHM
ローム株式会社
日本
炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM(R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位)はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。
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