BFS20
BFS20
Surface Mount Si-Epi-Planar Transistors
Si-Epi-Planar Transistoren für die Oberflächenmontage
NPN
NPN
Version 2012-11-26
Power dissipation – Verlustleistung
1.1
2.9 ±0.1
0.4
Plastic case
Kunststoffgehäuse
1
1.3±0.1
2.5 max
3
Type
Code
200 mW
2
1.9
Dimensions - Maße [mm]
1=B
2=E
3=C
SOT-23
(TO-236)
Weight approx. – Gewicht ca.
0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
BFS20
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung
B open
VCEO
20 V
Collector-Base-volt. – Kollektor-Base-Spannung
E open
VCBO
30 V
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
C open
VEBO
4V
Ptot
200 mW 1)
Collector current – Kollektorstrom (dc)
IC
25 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
Power dissipation – Verlustleistung
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
hFE
40
–
140
ICB0
–
–
100 nA
IEB0
–
–
100 µA
2
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis )
VCE = 10 V, IC = 7 mA
Collector cutoff current – Kollektor-Reststrom
VCB = 20 V
Emitter-cutoff current – Emitter-Reststrom
VEB = 4 V
1
2
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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