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RF101A2ST-32
RF101A2S Diodes Fast recovery diode RF101A2S Applications General rectification Dimensions (Unit : mm) CATHODE BAND (BLUE) φ0.6±0.1 ① ② 7 Features 1) Cylindrical mold type. (MSR) 2) Ultra Low VF. 3) Ultra high switching. 4) Low switching loss. 5) High ESD. 3.0±0.2 29±1 29±1 φ2.5±0.2 ROHM : MSR ① ② Manufacture Date Taping specifications (Unit : mm) Construction Silicon epitaxial planar IVORY H2 BLUE A H2 記号 Mark E B C Stabdard dimension 寸法規格値(mm) value (mm) T-31 52.4±1.5 Ａ T-32 26.0+0.4 -0 Ｂ 5.0±0.5 Ｃ 0.5ＭＡＸ Ｄ 0 Ｅ 50.4±0.4 Ｆ 0.3ＭＡＸ H1 6.0±0.5 H2 5.0±0.5 L1-L2 0.6ＭＡＸ ＊H1(6mm)：BROWN L2 L1 F H1 H1 D cf : cumulative pitch tolerance w ith 20 pitch than ±1.5mm 注) 累積ピッチの許容差は20ピッチで±1.5mm以下とする Absolute maximum ratings (Ta=25°C) Parameter Reverse voltage (repetitive) Reverse voltage (DC) Average rectified forward current(*1) Forward current surge peak （60Hz・1cyc） Junction temperature Storage temperature Limits 200 200 1 20 150 -55 to +150 Symbol VRM VR Io IFSM Tj Tstg (*1)Mounting on epoxi board. 180°Half sine wave Electrical characteristic (Ta=25°C) Parameter Symbol VF Forward voltage IR Reverse current Reverse recovery time trr Min. - Typ. 0.815 0.01 12 Max. 0.87 10 25 Unit V µA ns Unit V V A A ℃ ℃ Conditions IF=1.0A VR=200V IF=0.5A,IR=1A,Irr=0.25*IR Rev.C 1/3
ROHM
ローム株式会社
日本
炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM（R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位）はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。
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