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RN1203
RN1203 Transistors Pre-Biased "Digital" Transistor No. of Units Per Package1 V(BR)CEO (V)50 V(BR)CBO (V) I(C) Max. (A)100m Absolute Max. Power Diss. (W)300m I(CBO) Max. (A) @V(CBO) (V) (Test Condition) h(FE) Min. Current gain.70 h(FE) Max. Current gain. @I(C) (A) (Test Condition)10m @V(CE) (V) (Test Condition)5.0 f(T) Min. (Hz) Transition Freq250M @I(C) (A) (Test Condition)5.0m @V(CE) (V) (Test Condition)10 V(CE)sat Max. (V).3 @I(C) (A) (Test Condition)5.0m @I(B) (A) (Test Condition)250u RB (Ohms) Base input resistor.22.0k RBE (Ohms) Base-Emit. resistor22.0k Collector-Emitter Diode? Y/NNo Semiconductor Material
TOSHIBA
株式会社 東芝セミコンダクター＆ストレージ社
日本
半導体部門、DRAM、フラッシュメモリ、プロセッサ、汎用LSI
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