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2SK2018-01S
2SK2018-01S Transistors N-Channel Enhancement MOSFET Military/High-RelN V(BR)DSS (V)60 V(BR)GSS (V)20 I(D) Max. (A)10 I(DM) Max. (A) Pulsed I(D) @Temp (øC) IDM Max (@25øC Amb)40 @Pulse Width (s) (Condition) Absolute Max. Power Diss. (W)20# Minimum Operating Temp (øC) Maximum Operating Temp (øC)150õ Thermal Resistance Junc-Case6.3 Thermal Resistance Junc-Amb. V(GS)th Max. (V)2.5 V(GS)th (V) (Min)1.0 @(VDS) (V) (Test Condition)20 @I(D) (A) (Test Condition)1.0m I(DSS) Max. (A)500u @V(DS) (V) (Test Condition)60 @Temp (øC) (Test Condition)25 I(GSS) Max. (A)100n
FUJITSU
富士通株式会社から2008年3月に100%子会社「富士通マイクロエレクトロニクス」(その後、2010年4月に社名を現在の「富士通セミコンダクター」に変更)を設立した。 2015年3月1日付で、富士通セミコンダクター株式会社のシステムLSI事業は株式会社ソシオネクストに譲渡されました。
株式会社ソシオネクスト
日本
システムメモリ、ウェハーファウンドリ、販売にかかる事業
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