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2SD2012
2SD2012 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SD2012 Audio Frequency Power Amplifier Applications • Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.4 V (typ.) (IC = 2A / IB = 0.2A) • Unit: mm High power dissipation: PC = 25 W (Tc = 25°C) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 60 V Collector-emitter voltage VCEO 60 V Emitter-base voltage VEBO 7 V Collector current IC 3 A Base current IB 0.5 A Collector power dissipation Ta = 25°C Tc = 25°C Junction temperature Storage temperature range PC 2.0 25 W Tj 150 °C JEDEC ― Tstg −55 to 150 °C JEITA ― TOSHIBA 2-10R1A Note 1: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in Weight: 1.7 g (typ.) temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc). 1 2009-12-01
FUJITSU
富士通株式会社から2008年3月に100%子会社「富士通マイクロエレクトロニクス」(その後、2010年4月に社名を現在の「富士通セミコンダクター」に変更)を設立した。 2015年3月1日付で、富士通セミコンダクター株式会社のシステムLSI事業は株式会社ソシオネクストに譲渡されました。
株式会社ソシオネクスト
日本
システムメモリ、ウェハーファウンドリ、販売にかかる事業
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