ON Semiconductort
PNP
MJ2501
Medium-Power Complementary
Silicon Transistors
NPN
MJ3001
. . . for use as output devices in complementary general purpose
amplifier applications.
ON Semiconductor Preferred Devices
• High DC Current Gain —
•
10 AMPERE
DARLINGTON
POWER TRANSISTOR
COMPLEMENTARY
SILICON
80 VOLTS
150 WATTS
hFE = 4000 (Typ) @ IC = 5.0 Adc
Monolithic Construction with Built–in Base–Emitter Shunt Resistors
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Î
Î
Î Î
Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î Î
Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Max
Unit
VCEO
80
Vdc
Collector–Base Voltage
VCB
80
Vdc
Emitter–Base Voltage
VEB
5.0
Vdc
IC
10
Adc
Base Current
IB
0.2
Adc
Total Device Dissipation
@ TC = 25_C
Derate above 25_C
PD
150
0.857
Watts
W/_C
TJ, Tstg
–55 to +200
_C
Symbol
Max
Unit
θJC
1.17
_C/W
Collector–Emitter Voltage
Collector Current
Operating and Storage Junction
Temperature Range
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal Resistance, Junction to Case
PNP
MJ2501
COLLECTOR
NPN
MJ3001
BASE
COLLECTOR
BASE
[ 2.0 k
[ 50
[ 2.0 k
EMITTER
[ 50
EMITTER
Figure 1. Darlington Circuit Schematic
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
March, 2001 – Rev. 2
1
Publication Order Number:
MJ2501/D