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部品型式

M54523FP

製品説明
仕様・特性

MITSUBISHI SEMICONDUCTOR M54523P/FP 7-UNIT 500mA DARLINGTON TRANSISTOR-ARRAY WITH CLAMP DIODE DESCRIPTION M54523P and M54523FP are seven-circuit Darlington transistor arrays with clamping diodes. The circuits are made of NPN transistors. Both the semiconductor integrated circuits perform high-current driving with extremely low input-current supply. PIN CONFIGURATION IN1→ 1 IN2→ 2 14 →O3 IN4→ 4 13 →O4 IN5→ 5 INPUT 15 →O2 IN3→ 3 FEATURES q High breakdown voltage (BVCEO ≥ 50V) q High-current driving (IC(max) = 500mA) q With clamping diodes q Driving available with PMOS IC ouput 16 →O1 12 →O5 IN6→ 6 11 →O6 IN7→ 7 10 →O7 GND APPLICATION Drives of relays and printers, digit drives of indication elements (LEDs and lamps), and interfaces between standard MOS-bipolar logic IC FUNCTION The M54523P and M54523FP each have seven circuits consisting of NPN Darlington transistors. These ICs have resistance of 2.7kΩ between input transistor bases and input pins. A spike-killer clamping diode is provided between each output pin (collector) and COM pin. The output transistor emitters are all connected to the GND pin (pin 8). The collector current is 500mA maximum. Collector-emitter supply voltage is 50V maximum.The M54523FP is enclosed in a molded small flat package, enabling space-saving design. OUTPUT 9 8 COM COMMON 16P4(P) Package type 16P2N-A(FP) CIRCUIT DIAGRAM COM OUTPUT INPUT 2.7k 5k 3k GND The seven circuits share the COM and GND The diode, indicated with the dotted line, is parasitic, and cannot be used. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol VCEO IC VI IF VR Pd Topr Tstg (Unless otherwise noted, Ta = –20 ~ +75°C) Parameter Collector-emitter voltage Collector current Conditions Output, H Current per circuit output, L Input voltage Clamping diode forward current Clamping diode reverse voltage Power dissipation Operating temperature Storage temperature Unit : Ω Ta = 25°C, when mounted on board Ratings –0.5 ~ +50 500 –0.5 ~ +30 500 50 1.47(P)/1.00(FP) –20 ~ +75 –55 ~ +125 Unit V mA V mA V W °C °C Feb.2003

ブランド

MITSUBISHI

現況

NECエレクトロニクスは平成14年にNECから、ルネサスは平成15年に日立製作所及び三菱電機からそれぞれ分離独立する形で設立された半導体専業企業であり両者は合併した。

現ブランド

RENESAS

会社名

ルネサス エレクトロニクス株式会社

本社国名

日本

事業概要

2010年(平成22年)4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ&ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI

供給状況

 
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