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部品型式

GT8G121

製品説明
仕様・特性

GT8G121 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT8G121 Unit: mm STROBE FLASH APPLICATIONS ! 4th Generation (Trench Gate Structure) ! Enhancement−Mode ! Low Saturation Voltage : VCE (sat) = 7 V (Max.) (@IC = 150 A) ! 4 V Gate Drive MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT VCES 400 V DC VGES ±6 V Pulse VGES ±8 V DC IC 8 A 1 ms ICP 150 A Ta = 25°C PC 1.1 W Tc = 25°C PC 20 W Tj 150 °C JEDEC Tstg −55~150 °C JEITA ― TOSHIBA (A) 2−7B5C (B) 2−7B6C Collector−Emitter Voltage Gate−Emitter Voltage Collector Current Collector Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature Range ― Weight: 0.36 g ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C) CHARACTERISTIC SYMBOL TEST CONDITION MIN TYP. MAX UNIT Gate Leakage Current IGES VGE = 6 V, VCE = 0 ― ― 10 µA Collector Cut−off Current ICES VCE = 400 V, VGE = 0 ― ― 10 µA VGE (OFF) IC = 1 mA, VCE = 5 V 0.8 ― 1.5 V IC = 150 A, VGE = 4 V (Pulsed) ― 3.5 7 V VCE = 10 V, VGE = 0, f = 1 MHz ― 3800 ― pF tr ― 2.3 ― ton ― 2.5 ― tf ― 1.7 ― toff ― 2.1 ― ― ― 6.25 Gate−Emitter Cut−off Voltage Collector−Emitter Saturation Voltage Input Capacitance Cies Rise Time Switching Time Turn−on Time Fall Time Turn−off Time Thermal Resistance VCE (sat) Rth (j−c) ― µs °C / W These devices are MOS type. Users should follow proper ESD Handling Procedures. Operating condition of turn-off dv / dt should be lower than 400 V / µs. 1 2002-02-06

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