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部品型式

GT8G132

製品説明
仕様・特性

GT8G132 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT8G132 Strobe Flash Applications Unit: mm • Supplied in compact and thin package requires only a small mounting area • 5th generation (trench gate structure) IGBT • Enhancement-mode • 4-V gate drive voltage: VGE = 4.0 V (min) (@IC = 150 A) • Peak collector current: IC = 150 A (max) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics Symbol Rating Unit VCES 400 V DC VGES ±6 Pulse VGES ±8 DC IC 8 1 ms ICP 150 (Note 1) PC 1.1 W Tj 150 °C Tstg −55~150 °C Collector-emitter voltage Gate-emitter voltage Collector current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature range V A 2 Note 1: Drive operation: Mount on glass epoxy board [1 inch × 1.5 t] Note 2: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc). JEDEC ― JEITA ― TOSHIBA 2-6J1C Weight: 0.080 g (typ.) Equivalent Circuit 8 7 6 5 1 2 3 4 These devices are MOS type. Users should follow proper ESD handling procedures. Operating condition of turn-off dv/dt should be lower than 400 V/μs. 1 2006-11-02

ブランド

TOSHIBA

会社名

株式会社 東芝セミコンダクター&ストレージ社

本社国名

日本

事業概要

半導体部門、DRAM、フラッシュメモリ、プロセッサ、汎用LSI

供給状況

 
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