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2SC2710-Y
2SC2710Y Transistors Si NPN Lo-Pwr BJT Military/High-RelN V(BR)CEO (V)30 V(BR)CBO (V)35 I(C) Max. (A)800m Absolute Max. Power Diss. (W)300m Maximum Operating Temp (øC)125õ I(CBO) Max. (A)100nØ @V(CBO) (V) (Test Condition) V(CE)sat Max. (V).7 @I(C) (A) (Test Condition)500m @I(B) (A) (Test Condition)20m h(FE) Min. Current gain.160 h(FE) Max. Current gain.320 @I(C) (A) (Test Condition)100m @V(CE) (V) (Test Condition)1.0 f(T) Min. (Hz) Transition Freq120M @I(C) (A) (Test Condition)10m @V(CE) (V) (Test Condition)5.0 C(obo) (Max) (F)13p @V(CB) (V) (Test Condition) @Freq. (Hz) (Test Condition)
TOSHIBA
株式会社 東芝セミコンダクター&ストレージ社
日本
半導体部門、DRAM、フラッシュメモリ、プロセッサ、汎用LSI
見積依頼→在庫確認→見積回答→注文→検収→支払 となります。