HOME在庫検索>在庫情報

部品型式

2SJ401

製品説明
仕様・特性

2SJ401 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L −π−MOSV) 2SJ401 DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications Unit: mm l 4 V gate drive l Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 33 mΩ (typ.) l High forward transfer admittance : |Yfs| = 20 S (typ.) l Low leakage current : IDSS = −100 µA (max) (VDS = −60 V) l Enhancement−mode : Vth = −0.8~−2.0 V (VDS = −10 V, ID = −1 mA) Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics Symbol Rating Unit Drain−source voltage VDSS −60 V Drain−gate voltage (RGS = 20 kΩ) VDGR −60 V Gate−source voltage VGSS ±20 V (Note 1) ID −20 A Pulse(Note 1) IDP −80 A Drain power dissipation (Tc = 25°C) PD 100 W Single pulse avalanche energy (Note 2) EAS 800 mJ Avalanche current IAR −20 A Repetitive avalenche energy (Note 3) EAR 10 mJ Channel temperature Tch 150 °C Storage temperature range Tstg −55~150 °C Symbol Max Unit Thermal resistance, channel to case Rth (ch−c) 1.25 °C / W Thermal resistance, channel to ambient Rth (ch−a) 83.3 °C / W Drain current DC JEDEC ― JEITA ― TOSHIBA 2-10S1B Weight: 1.5 g (typ.) Thermal Characteristics Characteristics Note 1: Please use devices on condition that the channel temperature is below 150°C. Note 2: VDD = −50 V, Tch = 25°C (initial), L = 1.44 mH, RG = 25 Ω, IAR = −20 A Note 3: Repetitive rating: Pulse width limited by maximum channel temperature This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution. JEDEC ― JEITA ― TOSHIBA 2-10S2B Weight: 1.5 g (typ.) 1 2002-06-27

ブランド

TOSHIBA

会社名

株式会社 東芝セミコンダクター&ストレージ社

本社国名

日本

事業概要

半導体部門、DRAM、フラッシュメモリ、プロセッサ、汎用LSI

供給状況

 
Not pic File
お探し製品2SJ401は、当社営業担当が市場確認を行いメールにて結果を御連絡致します。

「見積依頼」をクリックして どうぞお問合せ下さい。

お支払方法

宅配業者の代金引換又は商品到着後一週間以内の銀行振込となります。


お取引内容はこちら
2SJ401の取扱い販売会社 株式会社クレバーテック  会社情報(PDF)    戻る


0.0678839684