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部品型式

JANTX1N4150-1

製品説明
仕様・特性

Silicon Switching Diodes 1N4150, 1N4150-1 & 1N3600 Features • Available in JAN, JANTX, and JANTXV per MIL-PRF-19500/231 • Metallurgically Bonded • Hermetically Sealed • Double Plug Construction Maximum Ratings Operating & Storage Temperature: -65°C to +175°C Operating Current: 300 mA @ TA = +25°C Derating: 2.0 mA dc/°C Above TL = + 75°C @ L = 3/8” Surge Current A: 2A (pk) tp = 8.3 mS, VRM = 0 Surge Current B: 4A (pk) tp = 1 us, VRM = 0 Electrical Specifications @ +25 ºC (Unless Otherwise Specified) VBR VRWM TYPE Number IR = 10 μA IR1 VR = 50 Vdc TA = 25 °C IR2 VR = 50 Vdc TA =150°C C IR = 0; f = 1 MHz ac signal = 50 mV (p-P) Trr IF = IR = 10 to 100 mA dc RL = 100 Ω V dc V (pk) μA dc μA dc pF ns 1N3600 75 50 0.1 100 2.5 4.0 1N4151, -1 75 50 0.1 100 2.5 4.0 Forward Voltage Limits - All Types VF1 IF = 1 mA dc VF2 IF = 10 mA dc VF3 IF = 50 mA dc (Pulsed) VF4 IF = 100 mA dc (Pulsed) V dc V dc V dc V dc V dc minimum 0.540 0.660 0.760 0.820 0.870 maximum 0.620 0.740 0.860 0.920 1.000 Limits VF5 IF = 200 mA dc (Pulsed) Outline Drawing LEADED DESIGN DATA 0.080 MAX 2.03 DIA CASE: Hermetically sealed glass case per MIL-S-19500/231, DO – 35 1.000 MIN 25.400 LEAD MATERIAL: Copper clad steel LEAD FINISH: Tin / Lead POLARITY BAND (CATHODE) 0.018 / 0.022 DIA 0.457 / 0.559 0.175 MAX 4.44 1.000 MIN 25.400 THERMAL RESISTANCE: (RӨJL): 250 °C/W maximum at L = 0.375 in THERMAL IMPEDANCE: (ZӨJX): 70 °C/W maximum POLARITY: Cathode end is banded. All dimensions in INCH mm Revision Date: 12/7/2009 New Product 1

ブランド

MICROSEMI

会社名

Microsemi Corporation

本社国名

U.S.A

事業概要

医療機器や航空、車載、太陽光発電、産業機器、交換機など信頼性を要求される製品から、監視カメラ、IP Phone、モバイル・コネクション、スイッチング・アプリケーションなど民生機器のICを提供している。

供給状況

 
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