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2SD1135C
Inchange Semiconductor Product Specification 2SD1135 Silicon NPN Power Transistors · DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type 2SB859 APPLICATIONS ·For low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector;connected to mounting base 3 Emitter Absolute maximum ratings(Tc=25℃) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT VCBO Collector-base voltage Open emitter 100 V VCEO Collector-emitter voltage Open base 80 V VEBO Emitter-base voltage Open collector 5 V IC Collector current 4 A ICM Collector current-peak 8 A PC Collector power dissipation 40 W Tj Junction temperature 150 ℃ Tstg Storage temperature -45~150 ℃ TC=25℃
HITACHI
NECエレクトロニクスは平成14年にNECから、ルネサスは平成15年に日立製作所及び三菱電機からそれぞれ分離独立する形で設立された半導体専業企業であり両者は合併した。
RENESAS
ルネサス エレクトロニクス株式会社
日本
2010年(平成22年)4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ&ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI
見積依頼→在庫確認→見積回答→注文→検収→支払 となります。