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RUE002N02TL
1.2V Drive Nch MOSFET RUE002N02 Structure Silicon N-channel MOSFET or EMT3 SOT-416 ec N ew om m D es en ig de ns d f Applications Switching Dimensions (Unit : mm) (1)Source Features 1) Fast switching speed. 2) Low voltage drive (1.2V) makes this device ideal for portable equipment. 3) Drive circuits can be simple. (2)Gate (3)Drain Abbreviated symbol : QR Inner circuit (3) Packaging specifications Package Type Taping TL Code Basic ordering unit (pieces) RUE002N02 ∗2 (2) 3000 ∗1 (1) ∗1 ESD PROTECTION DIODE ∗2 BODY DIODE (1) Source (2) Gate (3) Drain Absolute maximum ratings (Ta=25°C) Symbol Limits Unit Drain-source voltage VDSS 20 V Gate-source voltage VGSS ±8 V ID ±200 mA IDP∗1 ±400 mA PD∗2 150 mW Tch 150 °C Tstg −55 to +150 °C R Parameter Continuous ot Drain current Pulsed Total power dissipation N Channel temperature Range of storage temperature ∗1 Pw≤10µs, Duty cycle≤1% ∗2 Each terminal mounted on a recommended land Thermal resistance Parameter Channel to ambient Symbol Limits Unit Rth(ch-a) ∗ 833 °C / W ∗ Each terminal mounted on a recommended land www.rohm.com c ○ 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/4 2009.06 - Rev.A
ROHM
ローム株式会社
日本
炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM（R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位）はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。
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