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部品型式

TTD1415B

製品説明
仕様・特性

TTD1415B Bipolar Transistors Silicon NPN Triple-Diffused Type TTD1415B 1. Applications • High-Power Switching • Hammer Drivers 2. Features (1) High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 3 V, IC = 3 A) (2) Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.5 V (max) (IC = 3 A , IB = 6 mA) (3) Complementary to TTB1020B 3. Packaging and Internal Circuit 1. Base 2. Collector 3. Emitter TO-220SIS Start of commercial production ©2015 Toshiba Corporation 1 2012-09 2015-08-06 Rev.3.0

ブランド

TOSHIBA

会社名

株式会社　東芝セミコンダクター＆ストレージ社

本社国名

日本

事業概要

半導体部門、DRAM、フラッシュメモリ、プロセッサ、汎用LSI

供給状況

　
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