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部品型式

M54534P

製品説明
仕様・特性

MITSUBISHI SEMICONDUCTOR M54534P/FP 6-UNIT 320mA TRANSISTOR ARRAY WITH CLAMP DIODE AND STROBE DESCRIPTION M54534P and M54534FP are six-circuit transistor arrays. The circuits are made of NPN transistors. Both the semiconductor integrated circuits perform high-current driving with extremely low input-current supply. PIN CONFIGURATION (TOP VIEW) STROBE INPUT STB→ 1 16 VCC IN1→ 2 15 →O1 IN2→ 3 14 →O2 IN3→ 4 13 →O3 IN4→ 5 12 →O4 IN5→ 6 11 →O5 IN6→ 7 10 →O6 GND 9 INPUT FEATURES q Medium breakdown voltage (BV CEO ≥ 20V) q High-current driving (Ic(max) =320mA) q With clamping diodes q Wide input voltage range (VI = –25 to +20V) q Wide operating temperature range (Ta = –20 to +75°C) q With strobe input 8 OUTPUT COM COMMON 16P4(P) Outline 16P2N-A(FP) CIRCUIT SCHEMATIC (EACH CIRCUIT) APPLICATION Drives of relays and printers, digit drives of indication elements (LEDs and lamps). 380 VCC COM 1.6k INPUT OUTPUT 20k FUNCTION The M54534P and M54534FP each have six circuits consisting of NPN transistors. Each input has a diode and 1.6kΩ esistor in series. Each input is connected, and each output is connected spike-killer clamping diode, emitters of each transistor is connected to GND (pin 8), strobe input is connected to (pin 1), clamping diode is connected COM pin (pin 9) and V CC is connected to the pin 16 in common. The collector current is 320mA maximum. Collector-emitter supply voltage is 20V maximum. M54534FP is enclosed in a molded small flat package, enabling space-saving design. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol GND STB STROBE INPUT The six circuits share the STB, COM, VCC, GND. The diodes shown by broken line are parasite diodes and must not be use. Unit : Ω (Unless otherwise noted, Ta = –20 ~ +75 °C) Parameter Conditions Supply voltage Collector-emitter voltage Output, H IC VI Collector current Current per circuit output, L VR Pd Input voltage Strobe input voltage Clamping diode forward current Clamping diode reverse voltage Topr Power dissipation Operating temperature Tstg Storage temperature Ta = 25°C, when mounted on board Ratings Unit 10 –0.5 ~ +20 V V 320 –25 ~ +20 mA V –0.5~ +20 320 VCC VCEO V(STB) IF 2k V mA 20 1.47/1.00 W –20 ~ +75 °C –55 ~ +125 °C V Aug.1999

ブランド

MITSUBISHI

現況

NECエレクトロニクスは平成14年にNECから、ルネサスは平成15年に日立製作所及び三菱電機からそれぞれ分離独立する形で設立された半導体専業企業であり両者は合併した。

現ブランド

RENESAS

会社名

ルネサス エレクトロニクス株式会社

本社国名

日本

事業概要

2010年(平成22年)4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ&ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI

供給状況

 
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