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部品型式

RD30ESAB2

製品説明
仕様・特性

TH97/10561QM RD2.0ES SERIES TW00/17276EM IATF 0060636 SGS TH07/1033 ZENER DIODES DO - 34 Glass VZ : 2.0 - 37.5Volts PD : 400 mW 1.00 (25.4) min. 0.078 (2.0 )max. FEATURES : * High reliability * Low leakage current * Suitable for 5mm - pitch high speed automatical insertion * Pb / RoHS Free 0.118 (3.0) max. Cathode Mark 1.00 (25.4) min. 0.017 (0.43)max. MECHANICAL DATA Case: DO-34 Glass Case Weight: approx. 0.093g Dimensions in inches and ( millimeters ) ORDERING INFORMATION RD2.0ES to RD39ES with suffix "AB1", "AB2", or "AB3" should be applied for oders for suffix "AB" MAXIMUM RATINGS Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified Symbol Value Unit Forward Rectifier Current Parameter IF 150 mA Power Dissipation PD 400 mW PRSM W 175 °C Tstg Storage Temperature Range 100 Tj Surge Reverse Power (t = 10μs) Junction Temperature - 65 to + 175 °C Fig. 1 POWER DISSIPATION vs. AMBIENT TEMPERATURE PD, MAXIMUM DISSIPATION (MILLIWATTS) 500 400 300 200 100 0 0 Page 1 of 4 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 Ta, AMBIENT TEMPERATURE (°C) Rev. 03 : December 3, 2008

ブランド

NEC

現況

NECエレクトロニクスは平成14年にNECから、ルネサスは平成15年に日立製作所及び三菱電機からそれぞれ分離独立する形で設立された半導体専業企業であり両者は合併した。

現ブランド

RENESAS

会社名

ルネサス エレクトロニクス株式会社

本社国名

日本

事業概要

2010年(平成22年)4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ&ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI

供給状況

 
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