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部品型式

2SC6127

製品説明
仕様・特性

2SC6127 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SC6127 High Voltage Switching Applications High Voltage Amplifier Applications • Unit: mm High voltage: VCEO = 800 V Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 800 V Collector-emitter voltage VCEO 800 V Emitter-base voltage VEBO 5 V Collector current IC 50 mA Base current IB 25 mA Collector power dissipation Ta = 25°C Tc = 25°C Junction temperature Storage temperature range PC 1.0 10 W Tj 150 °C Tstg −55 to 150 °C JEDEC ― JEITA ― Note1: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in TOSHIBA 2-7J1A temperature, etc.) may cause this product to decrease in the Weight: 0.36 g (typ.) reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc). Start of commercial production 2008-11 1 2013-11-01

ブランド

TOSHIBA

会社名

株式会社 東芝セミコンダクター&ストレージ社

本社国名

日本

事業概要

半導体部門、DRAM、フラッシュメモリ、プロセッサ、汎用LSI

供給状況

 
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