製品説明 仕様・特性: 2MBI200L060 Transistors Half Bridge IGBT Power Module Isolated Case (Y/N)Yes Circuits Per Package1 V(BR)CES (V)600 V(BR)GES (V) I(C) Max. (A)200 Absolute Max. Power Diss. (W)800‚ Minimum Operating Temp (øC) Maximum Operating Temp (øC) Thermal Resistance Junc-Case I(CES) Min. (A) @V(CES) (V) (Test Condition) I(GES) Max. (A) @V(GES) (V) (Test Condition) V(CE)sat Max. (V)3.5 @I(C) (A) (Test Condition) @V(GE) (Test Condition) V(GE)th Max. (V) @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) g(fe) Min. (S) Trans. admitt. g(fe) Max. (S) Trans. admitt.

現況
富士通株式会社から2008年3月に100%子会社「富士通マイクロエレクトロニクス」(その後、2010年4月に社名を現在の「富士通セミコンダクター」に変更)を設立した。 2015年3月1日付で、富士通セミコンダクター株式会社のシステムLSI事業は株式会社ソシオネクストに譲渡されました。

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