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部品型式

2SC2235-Y

製品説明
仕様・特性

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92MOD Plastic-Encapsulate Transistors 2SC2235 TO-92MOD TRANSISTOR (NPN) 1. EMITTER FEATURES Complementary to 2SA965 2. COLLECTER 3. BASE MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) B Symbol B VCEO B B B B B Parameter Units Collector-Base Voltage 120 V 120 V 5 V 0.8 A Emitter-Base Voltage Collector Current -Continuous IC B Value Collector-Emitter Voltage VCBO VEBO B B PC Collector Power Dissipation TJ Junction Temperature 150 ℃ Storage Temperature -55to+150 ℃ B B B B Tstg B B 0.9 123 W ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified) Test Symbol Parameter Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO Emitter-Base breakdown voltage V(BR)EBO B MIN TYP MAX UNIT IC=1mA,IE=0 B B conditions B 120 V IC=10mA,IB=0 120 V IE=1mA,IC=0 5 V B B B B B B B B B B B B B B Collector cut-off current ICBO VCB=120V,IE=0 0.1 μA Emitter cut-off current IEBO VEB=5V,IC=0 0.1 μA DC current gain hFE VCE=5V,IC=100mA B B B B B B B B B B B B B B B B B B 80 240 VCE(sat) IC=500mA,IB=50mA 1.0 V Base-emitter voltage VBE IC=500mA, VCE=5V 1.0 V Transition frequency fT VCE=5V, IC=100mA Collector-emitter saturation voltage B B B B B B B B B CLASSIFICATION OF Rank Range Cob B B B B B B B B 120 VCE=10V, IE=0 B Collector output capacitance B B B MHz B 30 f=1MHz hFE O Y 80-160 120-240 pF

ブランド

TOSHIBA

会社名

株式会社　東芝セミコンダクター＆ストレージ社

本社国名

日本

事業概要

半導体部門、DRAM、フラッシュメモリ、プロセッサ、汎用LSI

供給状況

　
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