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部品型式

EDS2516APTA-75

製品説明
仕様・特性

DATA SHEET 256M bits SDRAM EDS2516APTA (16M words × 16 bits) Description Pin Configurations The EDS2516AP is a 256M bits SDRAM organized as 4,194,304 words × 16 bits × 4 banks. All inputs and outputs are referred to the rising edge of the clock input. It is packaged in standard 54-pin plastic TSOP (II) /xxx indicates active low signal. 54-pin plastic TSOP (II) EO VDD DQ0 VDDQ DQ1 DQ2 Features • • • • • • VSSQ DQ3 DQ4 VDDQ DQ5 DQ6 VSSQ L 3.3V power supply Clock frequency: 166MHz/133MHz (max.) LVTTL interface Single pulsed /RAS ×16 organization 4 banks can operate simultaneously and independently • Burst read/write operation and burst read/single write operation capability • Programmable burst length (BL): 1, 2, 4, 8, full page • 2 variations of burst sequence ⎯ Sequential (BL = 1, 2, 4, 8, full page) ⎯ Interleave (BL = 1, 2, 4, 8) • Programmable /CAS latency (CL): 2, 3 • Byte control by UDQM and LDQM Refresh cycles: 8192 refresh cycles/64ms • 2 variations of refresh ⎯ Auto refresh ⎯ Self refresh • 2 types of TSOP (II) package ⎯ Sn-Pb solder ⎯ Lead free solder (Sn-Bi) Pr DQ7 VDD LDQM /WE /CAS /RAS /CS BA0 BA1 A10 A0 A1 A2 A3 VDD 54 53 52 51 50 49 48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33 32 31 30 29 28 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 VSS DQ15 VSSQ DQ14 DQ13 VDDQ DQ12 DQ11 VSSQ DQ10 DQ9 VDDQ DQ8 VSS NC UDQM CLK CKE A12 A11 A9 A8 A7 A6 A5 A4 VSS (Top view) A0 to A12, BA0, BA1 od Address input Bank select address DQ0 to DQ15 Data-input/output Chip select /CS Row address strobe /RAS Column address strobe /CAS Write enable /WE UDQM,LDQM Input/output mask CKE CLK VDD VSS VDDQ VSSQ NC Clock enable Clock input Power for internal circuit Ground for internal circuit Power for DQ circuit Ground for DQ circuit No connection t uc Document No. E0359E20 (Ver. 2.0) Date Published January 2005 (K) Japan Printed in Japan URL: http://www.elpida.com This product became EOL in March, 2007. ©Elpida Memory, Inc. 2003-2005

ブランド

ELPIDA

会社名

エルピーダメモリ株式会社

本社国名

日本

事業概要

DRAM(ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ)のリーディングカンパニーです。世界トップレベルの技術力により、開発・設計・製造・販売活動を積極的に展開しています。

供給状況

 
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データシート
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提携先在庫情報

型式 数量 D/C・lead 備考 選択
EDS2516APTA75 164個    
EDS2516APTA75E 3106個    
EDS2516APTA-75を取扱っています。

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