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部品型式

RB481KTL

製品説明
仕様・特性

Schottky Barrier Diode Datasheet RB481K / RB481KFH Dimensions (Unit : mm) Low current rectification 2.0±0.2 各リードとも Each lead has same dimension 同寸法 0.25± 0.1 0.05 (3) 　Land size figure (Unit : mm) 0.6 0.15±0.05 0.9MIN Application 1) Ultra small mold type. 2.1±0.1 1.25±0.1 Features 1.6 (2) (UMD4) 0.1Min 0～0.1 (4) (1) 0.65 0.65 1.3 UMD4 0.7 1.3±0.1 0.9±0.1 2) Low VF Structure 3) High reliability ROHM : UMD4 JEDEC : SOT-343 JEITA : SC-82 Construction Taping specifications (Unit : mm) dot (year week factory) 1Pin Mark Silicon epitaxial planar φ 1.55± 0.05 2.0±0.05 0.3±0.1 8.0± 0.2 2.4± 0.1 φ 1.1± 0.1 4.0±0.1 2.2±0.1 0 0.5 5.5± 0.2 2.45± 0.1 2.4± 0.1 3.5± 0.05 1.75± 0.1 4.0±0.1 1.15± 0.1 Absolute maximum ratings (Ta = 25°C) Parameter Symbol Limits Unit Reverse voltage (repetitive peak) VRM 30 V Reverse voltage (DC) VR 30 V Average rectified forward current (*1) Io 200 mA IFSM 1 A Junction temperature Tj 125 °C Storage temperature Tstg 40 to 125 °C Forward current surge peak (60Hz・1cyc) (*1) (*1) Rating of per diode Electrical characteristics (Ta= 25°C) Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit Conditions VF1 Reverse current www.rohm.com © 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. - 0.28 V IF=10mA VF2 - - 0.33 V IF=100mA VF3 - - 0.43 V IF=100mA VF4 Forward voltage - - - 0.50 V IF=100mA IR - - 30 1/4 A VR=10V 2012.12 - Rev.D

ブランド

ROHM

会社名

ローム株式会社

本社国名

日本

事業概要

炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM（R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位）はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。

供給状況

　
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