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部品型式

MB85R256PF-G-BND-ERE1

製品説明
仕様・特性

FUJITSU SEMICONDUCTOR DATA SHEET DS05-13101-4E Memory FRAM CMOS 256 K (32 K × 8) Bit MB85R256 ■ DESCRIPTIONS The MB85R256 is an FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 32,768 words x 8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. Unlike SRAM MB85R256 is able to retain data without back-up battery. The memory cells used for the MB85R256 has inproved at least 1010 times of read/write access per bit, significantly outperforming FLASH memory and EEPROM in durability. The MB85R256 uses a pseudo - SRAM interface compatible with conventional asynchronous SRAM. ■ FEATURES • • • • • • • Bit configuration: 32,768 words x 8 bits Read/write durability: 1010 times/bit (Min) Peripheral circuit CMOS construction Operating power supply voltage: 3.0 V to 3.6 V Operating temperature range: −40 °C to +85 °C 28-pin, SOP flat package 28-pin, TSOP(1) flat package ■ PACKAGES 28-pin plastic SOP 28-pin plastic TSOP(1) (FPT-28P-M17) (FPT-28P-M03)

ブランド

FUJITSU

現況

富士通株式会社から2008年3月に100%子会社「富士通マイクロエレクトロニクス」(その後、2010年4月に社名を現在の「富士通セミコンダクター」に変更)を設立した。 2015年3月1日付で、富士通セミコンダクター株式会社のシステムLSI事業は株式会社ソシオネクストに譲渡されました。

会社名

株式会社ソシオネクスト

本社国名

日本

事業概要

システムメモリ、ウェハーファウンドリ、販売にかかる事業

供給状況

 
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