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部品型式

DHM3T30

製品説明
仕様・特性

HIGHT VOLTAGE FAST RECOVERY DIODE DHM3T30 FEATURES OUTLINE DRAWING • High voltage rectification for office equipment. • Diffused-junction. • Excellent high temperature output characteristics ( Small leakage current at high temperature and excellent reverse characteristics ) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Item Type DHM3T30 Repetitive Peak Reverse Voltage* V RRM kV 3 Non-Repetitive Peak Reverse Voltage* V RSM kV 3.6 Average Forward Current I F(AV) mA 3 ( 15.75kHz C-Load ) Surge(Non-Repetitive) Forward Current I FSM A 0.5 Tj °C -40 ~ +120 T stg °C -40 ~ +120 Operating Junction Temperature Storage Temperature CHARACTERISTICS (T C =25°C unless otherwise specified) Item Symbols Units Min. Typ. Max. Peak Reverse Current* I RRM µA - - 2.0 V R = V RRM Peak Forward Voltage V FM V - - 10 I FM = 5mAp trr ns - - 100 I F = 2mA, I RP = 5mA, 1mA recovery Reverse Recovery Time Notes Test Conditions *Diode tested in adequate thermal and dielectric medium. PDE-DHM3T30-2 P 1 / 2

ブランド

HITACHI

現況

NECエレクトロニクスは平成14年にNECから、ルネサスは平成15年に日立製作所及び三菱電機からそれぞれ分離独立する形で設立された半導体専業企業であり両者は合併した。

現ブランド

RENESAS

会社名

ルネサス エレクトロニクス株式会社

本社国名

日本

事業概要

2010年（平成22年）4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ＆ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI

供給状況

　
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