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RTF015P02TL
RTF015P02 Transistors 2.5V Drive Pch MOSFET RTF015P02 Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon P-channel MOSFET 0.2Max. TUMT3 Features 1) Low on-resistance. (180mΩ at 2.5V) 2) High power package. 3) High speed switching. 4) Low voltage drive. (2.5V) (1) Gate (2) Source Abbreviated symbol : WV (3) Drain Applications DC-DC converter Packaging specifications Package Type Equivalent circuit Taping (3) TL Code Basic ordering unit (pieces) 3000 RTF015P02 ∗2 (1) ∗1 (2) ∗1 ESD PROTECTION DIODE ∗2 BODY DIODE (1) Gate (2) Source (3) Drain Absolute maximum ratings (Ta=25°C) Parameter Drain-source voltage Gate-source voltage Continuous Pulsed Continuous Pulsed Drain current Source current (Body diode) Total power dissipation Channel temperature Range of Storage temperature Symbol VDSS VGSS ID IDP ∗1 IS ∗1 ISP PD ∗2 Tch Tstg Limits −20 ±12 ±1.5 ±6 −0.6 −6 0.8 150 −55 to +150 Symbol Limits Unit 156 °C / W Unit V V A A A A W °C °C ∗1 Pw≤10µs, Duty cycle≤1% ∗2 Mounted on a ceramic board Thermal resistance Parameter Channel to ambient Rth(ch-a) ∗ ∗ Mounted on a ceramic board. Rev.B 1/4
ROHM
ローム株式会社
日本
炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM（R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位）はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。
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