HOME＞在庫検索＞在庫情報
2SK2504TL
2SK2504 Transistors 4V Drive Nch MOS FET 2SK2504 Structure Silicon N-channel MOS FET External dimensions (Unit : mm) CPT3 6.5 5.1 2.3 0.75 0.65 0.9 (1)Gate 2.3 (1) (2)Drain (2) (3) 2.3 0.8Min. 2.5 0.9 1.5 5.5 Features 1) Low On-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 4) 4V drive. 5) Drive circuits can be simple. 6) Parallel use is easy. 9.5 1.5 0.5 0.5 1.0 Abbreviated symbol : K2504 (3)Source Applications Switching Packaging specifications Package Type Inner circuit Taping TL Code Basic ordering unit (pieces) 2500 2SK2504 (1) Gate (2) Drain (3) Source (1) (2) (3) Absolute maximum ratings (Ta=25°C) Symbol Parameter Limits Unit Drain-source voltage VDSS 100 V Gate-source voltage VGSS ±20 V Continuous Drain current Reverse drain current ID 5 A Pulsed IDP∗ 20 A Continuous IDR 5 A Pulsed IDRP∗ 20 A Total power dissipation(Tc=25°C) PD 20 W Channel temperature Tch 150 °C Storage temperature Tstg −55 to +150 °C ∗ Pw ≤ 10µs, Duty cycle ≤ 1% Rev.A 1/5
ROHM
ローム株式会社
日本
炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM（R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位）はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。
見積依頼→在庫確認→見積回答→注文→検収→支払 となります。
