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2SD1898
2SD1898 / 2SD1733 / 2SD1768S / 2SD1863 / 2SD1381F Transistors Power Transistor (80V, 1A) 2SD1898 / 2SD1733 / 2SD1768S / 2SD1863 / 2SD1381F !External dimensions (Units : mm) 2SD1898 1.5 +0.2 −0.1 2.5+0.2 −0.1 4.0±0.3 0.5±0.1 4.5+0.2 −0.1 1.6±0.1 (1) 1.0±0.2 !Features 1) High VCEO, VCEO=80V 2) High IC, IC=1A (DC) 3) Good hFE linearity 4) Low VCE (sat) 5) Complements the 2SB1260 / 2SB1241 / 2SB1181 0.4±0.1 1.5±0.1 (2) (3) 0.5±0.1 0.4+0.1 −0.05 0.4±0.1 1.5±0.1 3.0±0.2 (1) Base (2) Collector (3) Emitter ROHM : MPT3 EIAJ : SC-62 Abbreviated symbol : DF 2SD1733 2SD1768S 2.5 0.65±0.1 0.75 2±0.2 3Min. 3±0.2 9.5±0.5 0.5±0.1 (15Min.) 0.9 2.3+0.2 −0.1 C0.5 1.5 1.5±0.3 4±0.2 6.5±0.2 5.1+0.2 −0.1 5.5+0.3 −0.1 0.45+0.15 −0.05 0.9 2.5 +0.4 −0.1 0.55±0.1 2.3±0.2 2.3±0.2 5 1.0±0.2 ROHM : CPT3 EIAJ : SC-63 (1) Base (2) Collector (3) Emitter 2SD1863 ROHM : SPT EIAJ : SC-72 3.2±0.2 7.8±0.2 6.9 9.2 10.8±0.2 16.0±0.5 Back φ3.19 1.2 4.4±0.2 14.5±0.5 0.9 (2) (1) Emitter (2) Collector (3) Base Front φ3.3 0.5±0.1 (1) +0.15 0.45 −0.05 2SD1381F 2.5±0.2 6.8±0.2 1.6 1.1 0.65Max. 0.5 (1) (2) (3) (1) (2) (3) 1.0 !Structure Epitaxial planer type NPN silicon transistor C0.7 0.95 1.75 0.8 (3) 2.54 2.54 1.05 0.45±0.1 2.3±0.5 2.3±0.5 0.7±0.1 1.76±0.5 (1) (2) (3) ROHM : ATV (1) Emitter (2) Collector (3) Base ROHM : TO-126FP (1) Emitter (2) Collector (3) Base
ROHM
ローム株式会社
日本
炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM(R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位)はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。
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