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RTF015N03TL
RTF015N03 Nch 30V 1.5A Middle Power MOSFET Datasheet l Outline RDS(on)(Max.) 240mΩ ID ±1.5A SOT-323T or 30V TUMT3 ec N ew om m D es en ig de ns d f VDSS PD 0.8W l Inner circuit l Features 1) Low on - resistance. 2) 2.5V Drive. 3) Built-in G-S Protection Diode. 4) Small Surface Mount Package (TUMT3). 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant l Packaging specifications Packing l Application Type Basic ordering unit (pcs) Taping code Marking R Switching Reel size (mm) Tape width (mm) Embossed Tape 180 8 3000 TL PP l Absolute maximum ratings (Ta = 25°C ,unless otherwise specified) Parameter Symbol ot N Continuous drain current Pulsed drain current Gate - Source voltage Power dissipation Junction temperature Operating junction and storage temperature range Unit VDSS ID IDP*1 VGSS PD*2 PD*3 Tj Drain - Source voltage Value 30 V ±1.5 ±6.0 ±12 0.8 0.75 150 -55 to +150 A A V W W Tstg ℃ ℃ www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/11 20151109 - Rev.001
ROHM
ローム株式会社
日本
炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM（R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位）はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。
見積依頼→在庫確認→見積回答→注文→検収→支払 となります。
