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部品型式

2SA2183

製品説明
仕様・特性

2SA2183 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type 2SA2183 High Current Switching Applications • Unit: mm Low collector-emitter saturation : VCE(sat) = −1.0 V(max) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO −60 V Collector-emitter voltage VCEO −60 V Emitter-base voltage VEBO −7 V DC IC −5.0 A Pulse ICP −8.0 A IB −0.5 A 2 W 20 W Tj 150 °C Tstg −55 to 150 °C Collector current Base current Collector power dissipation Ta = 25°C Tc = 25°C Junction temperature Storage temperature range PC 1 : Base 2 : Collector 3 : Emitter JEDEC ― JEITA SC-67 Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high TOSHIBA 2-10U1A temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the Weight: 1.7 g (typ.) reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc). 1 2006-11-16

ブランド

RENESAS

会社名

ルネサス エレクトロニクス株式会社

本社国名

日本

事業概要

2010年(平成22年)4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ&ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI

供給状況

 
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