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部品型式

EDS2516AFTA-75-E

製品説明
仕様・特性

DATA SHEET 256M bits SDRAM EDS2516AFTA (16M words × 16 bits) Specifications Pin Configurations • Density: 256M bits • Organization  4M words × 16 bits × 4 banks • Package: 54-pin plastic TSOP (II)  Lead-free (RoHS compliant) • Power supply: VDD, VDDQ = 3.3V ± 0.3V • Clock frequency: 166MHz/133MHz (max.) • Four internal banks for concurrent operation • Interface: LVTTL • Burst lengths (BL): 1, 2, 4, 8, full page • Burst type (BT):  Sequential (1, 2, 4, 8, full page)  Interleave (1, 2, 4, 8) • /CAS Latency (CL): 2, 3 • Precharge: auto precharge option for each burst access • Refresh: auto-refresh, self-refresh • Refresh cycles: 8192 cycles/64ms  Average refresh period: 7.8µs • Operating ambient temperature range  TA = 0°C to +70°C /xxx indicates active low signal. 54-pin Plastic TSOP (II) EO VDD DQ0 VDDQ DQ1 DQ2 VSSQ DQ3 DQ4 VDDQ DQ5 DQ6 VSSQ L DQ7 VDD LDQM /WE /CAS /RAS /CS BA0 BA1 A10 A0 A1 A2 A3 VDD Pr Features 54 53 52 51 50 49 48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33 32 31 30 29 28 VSS DQ15 VSSQ DQ14 DQ13 VDDQ DQ12 DQ11 VSSQ DQ10 DQ9 VDDQ DQ8 VSS NC UDQM CLK CKE A12 A11 A9 A8 A7 A6 A5 A4 VSS (Top view) A0 to A12 BA0, BA1 Address input Bank select address Data-input/output Chip select Row address strobe od • Single pulsed /RAS • Burst read/write operation and burst read/single write operation capability • Byte control by UDQM and LDQM 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 DQ0 to DQ15 /CS /RAS /CAS /WE Column address strobe UDQM,LDQM VDDQ VSSQ NC Power for internal circuit Ground for internal circuit uc CKE CLK VDD VSS Write enable Input/output mask Clock enable Clock input Power for DQ circuit Ground for DQ circuit No connection t Document No. E0984E20 (Ver. 2.0) Date Published May 2007 (K) Japan Printed in Japan URL: http://www.elpida.com This product became EOL in March, 2010. Elpida Memory, Inc. 2006-2007

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提携先在庫情報

型式 数量 D/C・lead 備考 選択
EDS2516AFTA75E 12000個    
EDS2516AFTA75E 3138個    
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