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部品型式

2SC5197

製品説明
仕様・特性

isc Product Specification INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5197 DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage: VCE(sat)= 2.0V(Min) @IC= 6A ·Good Linearity of hFE ·Complement to Type 2SA1940 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommend for 55W high fidelity audio frequency amplifier output stage applications .cn mi e ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER scs .i VALUE ww w VCBO Collector-Base Voltage VCEO Collector-Emitter Voltage VEBO UNIT 120 V 120 V Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current-Continuous 8 A IB Base Current-Continuous 0.8 A PC Collector Power Dissipation @ TC=25℃ 80 W TJ Junction Temperature 150 ℃ -55~150 ℃ B Tstg Storage Temperature Range isc Website:www.iscsemi.cn

ブランド

TOSHIBA

会社名

株式会社 東芝セミコンダクター&ストレージ社

本社国名

日本

事業概要

半導体部門、DRAM、フラッシュメモリ、プロセッサ、汎用LSI

供給状況

 
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