HOME>在庫検索>在庫情報
2SC5197
isc Product Specification INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5197 DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage: VCE(sat)= 2.0V(Min) @IC= 6A ·Good Linearity of hFE ·Complement to Type 2SA1940 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommend for 55W high fidelity audio frequency amplifier output stage applications .cn mi e ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER scs .i VALUE ww w VCBO Collector-Base Voltage VCEO Collector-Emitter Voltage VEBO UNIT 120 V 120 V Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current-Continuous 8 A IB Base Current-Continuous 0.8 A PC Collector Power Dissipation @ TC=25℃ 80 W TJ Junction Temperature 150 ℃ -55~150 ℃ B Tstg Storage Temperature Range isc Website:www.iscsemi.cn
TOSHIBA
株式会社 東芝セミコンダクター&ストレージ社
日本
半導体部門、DRAM、フラッシュメモリ、プロセッサ、汎用LSI
お買い上げ小計が1万円以上の場合は送料はサービスさせて頂きます。1万円未満の場合、また時間指定便はお客様負担となります。(送料は地域により異なります。)