デュアルインライン型
Bridge Diode
Dual In-Line Package
■外観図 OUTLINE
S1ZB□
Unit : mm
Weight : 0.13（typ.）
Package：1Z（SMD）
800V 0.8A
④
①
④−
特長
＋①
③∼
∼②
Z62N
• 小型 DIP パッケージ
• 耐久性に優れ高信頼性
品名略号
Type No. ③
ロッ
ト記号
（例）
② Date code
Feature
• Small-DIP
• High-Reliability
4.7
7
2.6
Unit : mm
Weight : 0.13g typ.）
（
Package：1Z（THD）
④
①
④−
＋①
③∼
∼②
Z60N
品名略号
Type No.
②
③
ロッ
ト記号
（例）
Date code
3.8
4.7
2.5
3.05
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
For details of outline dimensions, refer to our web site or the Semiconductor
Short Form Catalog. As for the marking, refer to the specification “Marking,
Terminal Connection”
.
■定格表 RATINGS
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings（指定のない場合 Tl = 25℃／unless otherwise specified）
項 目
Item
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
電流二乗時間積
Current Squared Time
品 名
Type No.
記号
条 件
Symbol Conditions
S1ZB60
S1ZB80
単位
Unit
Tstg
−40∼150
℃
Tj
150
℃
VRM
IO
IFSM
It
2
600
アルミナ基板実装
50Hz 正弦波，抵抗負荷，Ta =25℃ On alumina substrate
50Hz sine wave,
プリント基板実装
Resistance load, Ta=25℃
On glass-epoxy substrate
50Hz 正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値， Tj= 25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃
１素子当たりの規格値
1ms≦t＜10ms，Tj = 25℃， per diode
800
0.8
0.5
V
A
30
A
4.5
A2s
●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics（指定のない場合 Tl = 25℃／unless otherwise specified）
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
VF
IR
θjl
熱抵抗
Thermal Resistance
14
（J534-1）
θja
パルス測定，１素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
VR =VRM, パルス測定，１素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
IF= 0.4A,
接合部・リード間
Junction to Lead
接合部・周囲間
Junction to Ambient
1.05
MAX
10
MAX
アルミナ基板実装
On alumina substrate
プリント基板実装
On glass-epoxy substrate
MAX
20
MAX
76
MAX
134
V
μA
℃/W
