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SF100CB100
MOSFET MODULE SF100CB100 UL;E76102 M） （ SF100CB100 is a isolated power MOSFET module designed for fast swiching applications of high voltage and current with a fast recovery diode（trr≦300ns）reverse connected. The mounting base of the module is electrically isolated from semiconductor elements for simple heatsink construction. VDSS＝1000V ● Suitable for high speed switching applications. ● Low ON resistance. ● Wide Safe Operating Areas. ● trr≦300ns fast recovery diode for free wheel 108max 4ｰφ6.5 93±0.5 D ● ID＝100A, 20.0 48±0.5 63max S G S 21.0 24.0 （Applications） 29.0 2ｰM6 D 41.5max Unit：A （Tj＝25℃ unless otherwise specified） ■Maximum Ratings Symbol 25.5max S 36.0max 2ｰM4 Item Ratings Conditions Unit SF100CB100 VDSS Drain-Source Voltage 1000 V VGSS Gate-Source Voltage ±30 V ID DC 100 Pulse 200 IDP Drain Current -ID Source Current PT Total Power Dissipation 800 W Tj Channel Temperature −40 to ＋150 ℃ Tstg Storage Temperature −40 to ＋125 ℃ VISO Isolation Voltage（R.M.S.） 2500 V 100 Tc＝25℃ A.C. 1minute Mounting （M6） Recommended Value 2.5-3.9（25-40） Terminal（M6） Recommended Value 2.5-3.9（25-40） 4.7（48） Recommended Value 1.0-1.4（10-14） 1.5（15） Mass Typical Value N･m （kgf･B） 460 ■Electrical Characteristics Symbol A 4.7（48） Terminal（M4） Mounting Torque A g （Tj＝25℃ unless otherwise specified） Item Conditions IGSS Gate Leakage Current Zero Gate Voltage Drain Current Darin-Source Breakdown Voltage VGS＝0V，ID＝1mA （th） VGS Gate-Source Threshold Voltage VDS＝VGS，ID＝10mA （on） RDS Drain-Source On-State Resistance （on） VDS Drain-Source On-State Voltage Typ. VGS＝0V，VDS＝800V （BR） V DSS Min. VGS＝±20V，VDS＝0V IDSS Ratings Max. Unit ±0.1 μA 4.0 mA 1000 V 1.5 3.5 V ID＝100A，VGS＝15V 150 mΩ ID＝100A，VGS＝15V 15 V gfs Forward Transconductance VDS＝10A，VD＝75A Ciss Input Capacitance VGS＝0V，VDS＝25V，f＝1.0MHz 16000 19200 pF Coss Output Capacitance VGS＝0V，VDS＝25V，f＝1.0MHz 2900 4200 pF Crss Reverse Transfer Capacitance VGS＝0V，VDS＝25V，f＝1.0MHz 1800 2600 pF td on） （ tr td off） （ tf Turn-on Delay Time Switching Time Rise Time Turn-off Delay Time 50 S 150 RL＝6Ω，VGS＝15V/−5V ID＝100A，RG＝2.2Ω Fall Time 300 600 ns 300 VSDS Diode Forward Voltage −ID＝100A，VGS＝0V trr Reverse Recovery Time Rth j-c） Thermal Resistance （ 30 1.8 V −ID＝100A，VGS＝15V，di/dt＝400A/ μs 300 ns MOSFET 0.16 Diode 0.64 ℃/W SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050-4618 PH.(516)625-1313 FAX(516)625-8845 E-mail: semi@sanrex.com
SANREX
株式会社 三社電機製作所
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