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RXR035N03
RXR035N03 Nch 30V 3.5A Middle Power MOSFET Datasheet l Outline VDSS 30V RDS(on)(Max.) 50mΩ SC-96 ID ±3.5A TSMT3 PD 1.0W SOT-346T l Inner circuit l Features 1) Low on-resistance 2) Built-in G-S protection diode 3) Small surface mount package(TSMT3) l Packaging specifications Embossed Tape 180 8 Packing l Application Reel size (mm) Tape width (mm) Type Switching Basic ordering unit (pcs) Taping code Marking 3000 TL XQ l Absolute maximum ratings (Ta = 25°C ,unless otherwise specified) Parameter Symbol Continuous drain current Pulsed drain current Gate - Source voltage Power dissipation Junction temperature Operating junction and storage temperature range Unit VDSS ID IDP*1 VGSS PD*2 PD*3 Tj Drain - Source voltage Value 30 V ±3.5 ±12 ±20 1.0 0.76 150 -55 to +150 A A V W W Tstg ℃ ℃ www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/11 20150918 - Rev.001
ROHM
ローム株式会社
日本
炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM(R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位)はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。
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