HOME在庫検索>在庫情報

部品型式

2SJ109GR

製品説明
仕様・特性

2SJ109GR Transistors Dual P-Channel JFET V(BR)DSS (V) V(BR)GSS (V) I(D) Max. (A) I(G) Max. (A) Absolute Max. Power Diss. (W)200m Maximum Operating Temp (øC)125õ I(GSS) Max. (A)1.0n @V(GS) (V) (Test Condition) V(GS)off Min. (V) I(DSS) Max. (A) V(GS)off Max. (V)2.0 @Vgs (test) (V) @V(DS) (V) (Test Condition) @I(D) (A) (Test Condition) I(DSS) Min. (A)6.5m I(DSS) Max. (A) @V(DS) (V) (Test Condition) g(fs) Min. (S) Trans. conduct.8.0m g(fs) Max; (S) Trans. conduct;22m @V(DS) (V) (Test Condition)10 C(iss) Max. (F)95pÂ

ブランド

TOSHIBA

会社名

株式会社 東芝セミコンダクター&ストレージ社

本社国名

日本

事業概要

半導体部門、DRAM、フラッシュメモリ、プロセッサ、汎用LSI

供給状況

 
Not pic File
お求め商品2SJ109GRは、弊社スタッフが市場確認を行いメールにて見積回答致します。

「見積依頼」ボタンを押してお気軽にお問合せ下さい。


当サイトの取引の流れ

見積依頼→在庫確認→見積回答→注文→検収→支払 となります。


お取引内容はこちら

0.0654020309