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部品型式

M54566FP

製品説明
仕様・特性

POWEREX MITSUBISHI SEMICONDUCTOR M54566P/FP 7-UNIT 400mA DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY DESCRIPTION M54566P and M54566FP are seven-circuit collector-currentsynchronized Darlington transistor arrays. The circuits are made of PNP and NPN transistors. Both the semiconductor integrated circuits perform high-current driving with extremely low input-current supply. PIN CONFIGURATION        INPUT         FEATURES High breakdown voltage (BV CEO ≥ 50V) High-current driving (Ic(max) = 400mA) Active L-level input Wide operating temperature range (Ta = –20 to +75°C) APPLICATION Interfaces between microcomputers and high-voltage, highcurrent drive systems, drives of relays and printers, and MOS-bipolar logic IC interfaces IN1→ 1 16 →O1  IN2→ 2 15 →O2   IN3→ 3 14 →O3  IN4→ 4 13 →O4  OUTPUT IN5→ 5 12 →O5  IN6→ 6 11 →O6  IN7→ 7 10 →O7  GND        8 9 VCC 16P4(P) Package type 16P2N-A(FP) CIRCUIT DIAGRAM VCC 20K OUTPUT 2.7K INPUT 8K 7.2K FUNCTION The M54566 is produced by adding PNP transistors to M54222 inputs. Seven circuits having active L-level inputs are provided. Resistance of 8kΩ is provided between each input and PNP transistor base. The input emitters are connected to VCC pin (pin 9). Output transistor emitters are all connected to the GND pin (pin 8). Collector current is 400mA maximum. Collector-emitter supply voltage is 50V maximum. These ICs are optimal for drivers that are driven with N-MOS IC output and absorb collector current. The M54566FP is enclosed in a molded small flat package, enabling space-saving design. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS GND The seven circuits share the VCC and GND. The diode, indicated with the dotted line, is parasitic, and cannot be used. Unit : Ω (Unless otherwise noted, Ta = –20 ~ +75 °C) Symbol VCC Supply voltage VCEO IC Collector-emitter voltage Collector current Output, H Current per circuit output, L VI Pd Input voltage Power dissipation Ta = 25°C, when mounted on board Topr Operating temperature Storage temperature Tstg Parameter 3K Conditions Ratings 10 Unit V –0.5 ~ +50 V mA 400 –0.5 ~ VCC V W 1.47(P)/1.00(FP) –20 ~ +75 °C –55 ~ +125 °C Aug. 1999

ブランド

MITSUBISHI

現況

NECエレクトロニクスは平成14年にNECから、ルネサスは平成15年に日立製作所及び三菱電機からそれぞれ分離独立する形で設立された半導体専業企業であり両者は合併した。

現ブランド

RENESAS

会社名

ルネサス エレクトロニクス株式会社

本社国名

日本

事業概要

2010年(平成22年)4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ&ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI

供給状況

 
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