製品説明 仕様・特性: H7N0603DL, H7N0603DS Silicon N Channel MOS FET High speed power Switching REJ03G0123-0100Z Rev.1.00 Oct.14.2003 Features • Low on - resistance RDS (on) = 11 mΩ typ. • Low drive current • Capable of 4.5 gate drive Outline DPAK-2 D DPAK-S 4 4 G 1 2 3 H7N0603DS S 1 2 3 H7N0603DL 1. Gate 2. Drain 3. Source 4. Drain Rev.1.00, Oct.14.2003, page 1 of 10

事業概要: 2010年（平成22年）4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ＆ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI

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H7N0603DS RENESAS

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