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部品型式

H57V2562GTR-75I

製品説明
仕様・特性

256Mb Synchronous DRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O 256M (16Mx16bit) Hynix SDRAM Memory Memory Cell Array - Organized as 4banks of 4,194,304 x 16 This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied. Rev 1.0 / Dec. 2010 1

ブランド

HYNIX

現況

2012年3月にSKハイニックスに社名変更した。

現ブランド

SKHYNIX

会社名

SK hynix Inc.

本社国名

韓国

事業概要

韓国内でサムスン電子に次いで2位の半導体メーカーである。 主力製品はDRAMとNAND型フラッシュメモリである。

供給状況

　
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